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156-0036-6678
Test method for measuring boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
国家标准《重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准委。
主要起草单位信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。
主要起草人马农农 、何友琴 、丁丽 。
标准号:GB/T 24580-2009发布日期:2009-10-30实施日期:2010-06-01标准类别:方法中国标准分类号:H80国际标准分类号:29.045 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门:国家标准委
本标准修改采用其他国际标准:SEMI MF 1528-1104。采标中文名称:用二次离子质谱法测量重搀杂N型硅衬底中的硼污染的方法。
信息产业部专用材料质量监督检验中心中国电子科技集团公司第四十六研究所
马农农何友琴丁丽
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