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GB/T 35009-2018《串行NAND型快闪存储器接口规范》

Specification for serial NAND flash interface

国家标准《串行NAND型快闪存储器接口规范》由TC599(全国集成电路标准化技术委员会)归口,主管部门为工业和信息化部(电子)。

主要起草单位北京兆易创新科技股份有限公司、工业和信息化部电子工业标准化研究院、深圳市中兴微电子技术有限公司、中国航天科技九院第七七二研究所、清华大学微电子学研究所、安凯(广州)微电子技术有限公司。

主要起草人苏志强 、刘超 、刘会娟 、高硕 、罗晓羽 、武鹏 、林建京 、吴华强 、邹天翔 。

基础信息

标准号:GB/T 35009-2018发布日期:2018-03-15实施日期:2018-08-01标准类别:产品中国标准分类号:L56国际标准分类号:31.200 归口单位:全国集成电路标准化技术委员会执行单位:全国集成电路标准化技术委员会主管部门:工业和信息化部(电子)

起草单位

北京兆易创新科技股份有限公司深圳市中兴微电子技术有限公司清华大学微电子学研究所工业和信息化部电子工业标准化研究院中国航天科技九院第七七二研究所安凯(广州)微电子技术有限公司

起草人

苏志强刘超罗晓羽武鹏邹天翔刘会娟高硕林建京吴华强

相近标准(计划)

SJ/T 11701-2018 通用NAND型快闪存储器接口GB/T 35008-2018 串行NOR型快闪存储器接口规范20242042-T-469 NAND 型闪存存储器寿命试验方法SJ/T 11585-2016 串行存储器接口要求GB/T 42974-2023 半导体集成电路 快闪存储器(FLASH)GB/T 36477-2018 半导体集成电路 快闪存储器测试方法20242554-T-339 半导体集成电路 嵌入式存储器接口要求GA/T 379.8-2002 报警传输系统串行数据接口的信息格式和协议 第8部分:与PSTN接口处采用ITU-T建议V.23信令的数字通信系统中的串行协议GY/T 187-2002 多通路音频数字串行接口SJ/T 11702-2018 半导体集成电路 串行外设接口测试方法

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微析院所经过严格的审核程序,获得了CMA资质认证成为正规的检测机构,不出具CMA检测报告的机构请斟酌。

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独立公正立场

严格按照法律法规和行业标准行事,不受任何外部干扰,真实反映实际情况,出具的检测报告具有权威性和公信力。

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服务领域广泛

服务领域广泛,涉及众多行业。食品、环境、医药、化工,还是建筑、电子、机械等领域,都能提供专业检测服务。

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