GB/T 1551-2009《硅单晶电阻率测定方法》

Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon

国家标准《硅单晶电阻率测定方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。

主要起草单位信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。

主要起草人李静、何秀坤、张继荣、段曙光。

基础信息

标准号：GB/T 1551-2009发布日期：2009-10-30实施日期：2010-06-01废止日期：2021-12-01全部代替标准：GB/T 1551-1995,GB/T 1552-1995标准类别：方法中国标准分类号：H80国际标准分类号：29.045 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门：国家标准委

采标情况

本标准修改采用其他国际标准：SEMI MF 84-1105、SEMI MF 397-1106。采标中文名称:硅片电阻率测定四探针法、硅棒电阻率测定两探针法。

起草单位

信息产业部专用材料质量监督检验中心中国电子科技集团公司第四十六研究所

起草人

李静何秀坤张继荣段曙光

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