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GB/T 16894-1997《大于100A,环境和管壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范》

Blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes),ambient and case-rated,for currents greater than 100A

国家标准《大于100A,环境和管壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范》由TC78(全国半导体器件标准化技术委员会)归口,主管部门为工业和信息化部(电子)。

主要起草单位北京变压器厂。

基础信息

标准号:GB/T 16894-1997发布日期:1997-06-28实施日期:1998-03-01标准类别:基础中国标准分类号:K46国际标准分类号:31.080.10 归口单位:全国半导体器件标准化技术委员会执行单位:全国半导体器件标准化技术委员会主管部门:工业和信息化部(电子)

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准:IEC 747-2-2:1993。采标中文名称:。

起草单位

北京变压器厂

相近标准(计划)

GB/T 6351-1998 半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一篇100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范GB/T 13150-2005 半导体器件分立器件电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范GB/T 13151-2005 半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第3篇电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范JB 5837-1991 ZP系列2000A以上管壳额定整流二极管JB 5841-1991 ZH系列200A以上管壳额定高压整流二极管JB 5836-1991 ZK系列5A以上管壳额定快恢复整流二极管DB52/T 861-2013 2CB003型硅雪崩整流二极管详细规范GB/T 6590-1998 半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第二篇100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范GB/T 6352-1998 半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第一篇100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范QC/T 706-2004 机动车用硅雪崩整流二极管技术条件

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