GB/T 24576-2009《高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法》

Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction

国家标准《高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。

主要起草单位信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。

主要起草人章安辉、黄庆涛、何秀坤。

基础信息

标准号：GB/T 24576-2009发布日期：2009-10-30实施日期：2010-06-01标准类别：方法中国标准分类号：H80国际标准分类号：29.045 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门：国家标准委

采标情况

本标准等同采用其他国际标准：SMEI M63-0306。采标中文名称:准则：采用高分辨率X光衍射法测量砷化镓衬底上AlGaAs中Al百分含量的测试方法。

起草单位

信息产业部专用材料质量监督检验中心中国电子科技集团公司第四十六研究所

起草人

章安辉黄庆涛何秀坤

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