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156-0036-6678
Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices
国家标准《锑化铟多晶、单晶及切割片》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准委。
主要起草单位峨嵋半导体材料厂。
主要起草人王炎 、何兰英 、张梅 。
标准号:GB/T 11072-2009发布日期:2009-10-30实施日期:2010-06-01全部代替标准:GB/T 11072-1989标准类别:产品中国标准分类号:H83国际标准分类号:29.045 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门:国家标准委
峨嵋半导体材料厂
王炎何兰英张梅
GB/T 11297.7-1989 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法GB/T 11297.6-1989 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法GB/T 11094-2020 水平法砷化镓单晶及切割片GB/T 11093-2007 液封直拉法砷化镓单晶及切割片GB/T 12965-2018 硅单晶切割片和研磨片GB/T 29508-2013 300mm 硅单晶切割片和磨削片20241911-T-469 太阳能电池用硅单晶及硅单晶片20241934-T-469 太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片20240138-T-469 氮化铝单晶抛光片20250721-T-609 金刚石多晶片
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微析院所经过严格的审核程序,获得了CMA资质认证成为正规的检测机构,不出具CMA检测报告的机构请斟酌。
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提供精准的数据支持,建立了完善的数据管理系统,对每个检测项目数据进行详细记录与归档,以便随时查阅追溯。
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严格按照法律法规和行业标准行事,不受任何外部干扰,真实反映实际情况,出具的检测报告具有权威性和公信力。
服务
服务领域广泛
服务领域广泛,涉及众多行业。食品、环境、医药、化工,还是建筑、电子、机械等领域,都能提供专业检测服务。
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