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156-0036-6678
Testing method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon
国家标准《硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准委。
主要起草单位峨嵋半导体材料厂。
主要起草人杨旭 、江莉 。
标准号:GB/T 14144-2009发布日期:2009-10-30实施日期:2010-06-01全部代替标准:GB/T 14144-1993标准类别:方法中国标准分类号:H80国际标准分类号:29.045 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门:国家标准委
本标准修改采用其他国际标准:SEMI MF 1188-1105。采标中文名称:用红外吸收法测量硅中间隙氧原子含量的标准方法。
峨嵋半导体材料厂
杨旭江莉
GB/T 1557-2018 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法20233945-T-610 硅片径向电阻率变化测量方法SJ/T 11491-2015 短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量SJ/T 10625-1995 锗单晶中间隙氧含量的红外吸收测量方法SJ/T 11552-2015 以布鲁斯特角入设P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法20231107-T-469 硅片氧沉淀特性的测试间隙氧含量减少法SJ/T 10627-1995 通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法20232705-T-339 地面用晶体硅光伏电池总规范GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定间隙氧含量减少法
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