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156-0036-6678
GaAs substrates for LED epitaxial chips
国家标准《LED外延芯片用砷化镓衬底》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准委。
主要起草单位中国科学院半导体研究所、有研光电新材料有限公司、云南中科鑫圆晶体材料有限公司。
主要起草人赵有文 、提刘旺 、林泉 、于洪国 、惠峰 、赵坚强 。
标准号:GB/T 30856-2014发布日期:2014-07-24实施日期:2015-04-01标准类别:产品中国标准分类号:H83国际标准分类号:29.045 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门:国家标准委
中国科学院半导体研究所云南中科鑫圆晶体材料有限公司有研光电新材料有限公司
赵有文提刘旺惠峰赵坚强林泉于洪国
20231115-T-469 LED外延芯片用砷化镓衬底20243065-T-469 激光器外延芯片用砷化镓衬底GB/T 30855-2014 LED外延芯片用磷化镓衬底SJ/T 11758-2020 液晶显示背光组件用LED芯片性能规范20240143-T-469 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法DB1404/T 20─2021 消毒用UVC LED芯片 规格分类GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片GB/T 8758-2006 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法SJ/T 11868-2022 硅衬底蓝光功率发光二极管芯片详细规范SJ/T 11869-2022 硅衬底白光功率发光二极管芯片详细规范
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