GB/T 31225-2014《椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法》

Test method for the thickness of silicon oxide on Si substrate by ellipsometer

国家标准《椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法》由TC279（全国纳米技术标准化技术委员会）归口，主管部门为中国科学院。

主要起草单位上海交通大学、纳米技术及应用国家工程研究中心。

主要起草人金承钰、李威、梁齐、路庆华、何丹农、张冰。

基础信息

标准号：GB/T 31225-2014发布日期：2014-09-30实施日期：2015-04-15标准类别：方法中国标准分类号：J04国际标准分类号：17.040.01 归口单位：全国纳米技术标准化技术委员会执行单位：全国纳米技术标准化技术委员会主管部门：中国科学院

起草单位

上海交通大学纳米技术及应用国家工程研究中心

起草人

金承钰李威何丹农张冰梁齐路庆华

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