GB/T 17170-2015《半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法》

Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy

国家标准《半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。

主要起草单位信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、中国电子材料行业协会。

主要起草人何秀坤、李静、张雪囡。

基础信息

标准号：GB/T 17170-2015发布日期：2015-12-10实施日期：2016-07-01全部代替标准：GB/T 17170-1997标准类别：方法中国标准分类号：H17国际标准分类号：77.040 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门：国家标准委

起草单位

信息产业专用材料质量监督检验中心中国电子材料行业协会天津市环欧半导体材料技术有限公司

起草人

何秀坤李静张雪囡

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