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156-0036-6678
Test method for dislocation density of sapphire single crystal
国家标准《蓝宝石单晶位错密度测量方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准委。
主要起草单位江苏协鑫软控设备科技发展有限公司、中国科学院上海光学精密机械研究所、深圳市中安测标准技术有限公司。
主要起草人薛抗美 、黄修康 、杭寅 、尹继刚 、田野 、张永波 、张毅 。
标准号:GB/T 33763-2017发布日期:2017-05-31实施日期:2017-12-01标准类别:方法中国标准分类号:H25国际标准分类号:77.040 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门:国家标准委
江苏协鑫软控设备科技发展有限公司深圳市中安测标准技术有限公司中国科学院上海光学精密机械研究所
薛抗美黄修康田野张永波杭寅尹继刚张毅
GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法20240136-T-469 金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法SJ/T 11489-2015 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法GB/T 5252-2020 锗单晶位错密度的测试方法GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法20240142-T-469 蓝宝石单晶衬底抛光片SJ/T 10557.3-1994 电解电容器用铝箔平均位错密度测量方法GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量阴极荧光显微镜法
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