GB/T 14142-2017《硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法》

Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique

国家标准《硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。

主要起草单位南京国盛电子有研公司、有研半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司。

主要起草人马林宝、骆红、杨帆、刘小青、陈赫、张海英。

基础信息

标准号：GB/T 14142-2017发布日期：2017-09-29实施日期：2018-04-01全部代替标准：GB/T 14142-1993标准类别：方法中国标准分类号：H25国际标准分类号：77.040 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门：国家标准委

起草单位

南京国盛电子有研公司浙江金瑞泓科技股份有限公司有研半导体材料有限公司

起草人

马林宝骆红陈赫张海英杨帆刘小青

相近标准(计划)

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