GB/T 36474-2018《半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器（DDR3 SDRAM）测试方法》

Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access memory(DDR3 SDRAM)

国家标准《半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器（DDR3 SDRAM）测试方法》由TC599（全国集成电路标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位中国电子技术标准化研究院、西安紫光国芯半导体有限公司、上海高性能集成电路设计中心、武汉芯动科技有限公司、成都华微电子科技有限公司。

主要起草人孔宪伟、殷梦迪、尹萍、巨鹏锦、高专、刘建明。

基础信息

标准号：GB/T 36474-2018发布日期：2018-06-07实施日期：2019-01-01标准类别：方法中国标准分类号：L56国际标准分类号：31.200 归口单位：全国集成电路标准化技术委员会执行单位：全国集成电路标准化技术委员会主管部门：工业和信息化部（电子）

起草单位

中国电子技术标准化研究院上海高性能集成电路设计中心成都华微电子科技有限公司西安紫光国芯半导体有限公司武汉芯动科技有限公司

起草人

孔宪伟殷梦迪高专刘建明尹萍巨鹏锦

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