GB/T 26068-2018《硅片和硅锭载流子复合寿命的测试非接触微波反射光电导衰减法》

Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers and silicon ingots—Non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance method

国家标准《硅片和硅锭载流子复合寿命的测试非接触微波反射光电导衰减法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。

主要起草单位有研半导体材料有限公司、瑟米莱伯贸易（上海）有限公司、中国计量科学研究院、浙江省硅材料质量检验中心、广州市昆德科技有限公司、江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司、北京合能阳光新能源技术有限公司。

主要起草人曹孜、孙燕、黄黎、赵而敬、徐红骞、高英、石宇、楼春兰、王昕、张雪囡、林清香、刘卓、肖宗杰。

基础信息

标准号：GB/T 26068-2018发布日期：2018-12-28实施日期：2019-11-01全部代替标准：GB/T 26068-2010标准类别：方法中国标准分类号：H21国际标准分类号：77.040 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门：国家标准委

起草单位

有研半导体材料有限公司中国计量科学研究院广州市昆德科技有限公司天津市环欧半导体材料技术有限公司瑟米莱伯贸易（上海）有限公司浙江省硅材料质量检验中心江苏协鑫硅材料科技发展有限公司北京合能阳光新能源技术有限公司

起草人

曹孜孙燕徐红骞高英王昕张雪囡肖宗杰黄黎赵而敬石宇楼春兰林清香刘卓

相近标准(计划)

GB/T 42907-2023 硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试非接触涡流感应法GB/T 1553-2023 硅和锗体内少数载流子寿命的测定光电导衰减法20250731-T-469 碳化硅外延层载流子寿命的测试瞬态吸收法GB/T 32280-2022 硅片翘曲度和弯曲度的测试自动非接触扫描法GB/T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T 19922-2005 硅片局部平整度非接触式标准测试方法GB/T 29507-2013 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法GB/T 37051-2018 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法20231107-T-469 硅片氧沉淀特性的测试间隙氧含量减少法YD/T 4539-2023 基于近场通信（NFC）的移动通信终端和非接触式销售点（PoS）的互操作要求和测试方法

上一篇： 工程机械轮胎技术要求

下一篇： 机械安全控制系统安全相关部件第1部分：设计通则