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Surface chemical analysis—Depth profiling—Method for sputter rate determination in X-ray photoelectron spectroscopy, Auger electron spectroscopy and secondary-ion mass spectrometry sputter depth profiling using single and multi-layer thin films
国家标准《表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法》由TC608(全国表面化学分析标准化技术委员会)归口,主管部门为中国科学院。
主要起草单位清华大学、中国石油大学(北京)。
主要起草人姚文清 、段建霞 、杨立平 、王雅君 、李展平 、徐同广 、王岩华 。
标准号:GB/T 41064-2021发布日期:2021-12-31实施日期:2022-07-01标准类别:方法中国标准分类号:G04国际标准分类号:71.040.40 归口单位:全国表面化学分析标准化技术委员会执行单位:全国表面化学分析标准化技术委员会主管部门:中国科学院
本标准等同采用ISO国际标准:ISO 17109:2015。采标中文名称:表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法。
清华大学中国石油大学(北京)
姚文清段建霞李展平徐同广杨立平王雅君王岩华
SJ/T 10457-1993 俄歇电子能谱术语深度剖析标准导则20240152-T-469 表面化学分析深度剖析AES和XPS深度剖析时离子束对准方法及其束流或束流密度的测量方法20233734-T-469 表面化学分析 溅射深度剖析 用层状膜系为参考物质的优化方法20240005-T-469 表面化学分析深度剖析中能离子散射术对硅基底上纳米尺度重金属氧化物薄膜的无损深度剖析GB/T 40109-2021 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法GB/T 32495-2016 表面化学分析二次离子质谱硅中砷的深度剖析方法GB/T 29557-2013 表面化学分析深度剖析溅射深度测量GB/T 34326-2017 表面化学分析 深度剖析 AES和XPS深度剖析时离子束对准方法及其束流或束流密度测量方法GB/T 28632-2012 表面化学分析俄歇电子能谱和X射线光电子能谱横向分辨率测定GB/T 28893-2024 表面化学分析 俄歇电子能谱和X射线光电子能谱 测定峰强度的方法和报告结果所需的信息
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