GB/T 14146-2009《硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法》

Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method

国家标准《硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。

主要起草单位南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心。

主要起草人马林宝、唐有青、刘培东、李静、金龙、吕立平。

基础信息

标准号：GB/T 14146-2009发布日期：2009-10-30实施日期：2010-06-01废止日期：2021-12-01全部代替标准：GB/T 14146-1993标准类别：方法中国标准分类号：H80国际标准分类号：29.045 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门：国家标准委

起草单位

南京国盛电子有限公司信息产业部专用材料质量监督检验中心宁波立立电子股份有限公司

起草人

马林宝唐有青金龙吕立平刘培东李静

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