GB/T 43315-2023《硅片流动图形缺陷的检测腐蚀法》

Test method for flow pattern defects in silicon wafer—Etching technique

国家标准《硅片流动图形缺陷的检测腐蚀法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。

主要起草单位中环领先（徐州）半导体材料有限公司、山东有研半导体材料有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、厦门万明电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、麦斯克电子材料股份有限公司、浙江旭盛电子有限公司。

主要起草人朱志高、陈俊宏、陈凤林、高海棠、李素青、朱晓彤、由佰玲、吕莹、潘金平、张海英、胡晓亮、方丽霞、陈跃骅、黄景明。

基础信息

标准号：GB/T 43315-2023发布日期：2023-11-27实施日期：2024-06-01标准类别：方法中国标准分类号：H21国际标准分类号：77.040 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门：国家标准委

起草单位

中环领先（徐州）半导体材料有限公司中环领先半导体材料有限公司厦门万明电子有限公司浙江金瑞泓科技股份有限公司浙江旭盛电子有限公司山东有研半导体材料有限公司浙江海纳半导体股份有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司麦斯克电子材料股份有限公司

起草人

朱志高陈俊宏李素青朱晓彤潘金平张海英陈跃骅黄景明陈凤林高海棠由佰玲吕莹胡晓亮方丽霞

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